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IDT70V7599S
Capacitance
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
(1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) PQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
5626 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V7599S
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL (3.3V)
V OH (3.3V)
Parameter
(1)
(1)
Output Low Voltage (2)
Output High Voltage (2)
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
V OL (2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
2.0
___
V
NOTES:
1. At V DD < 2.0V leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
8
6.42
5626 tbl 08
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